讲授超大规模集成电路 (VLSI) 的基础知识,包括如何将理论和概念应用于简单逻辑电路的设计和简单微处理器的物理实现。

  • 摘要:全套 20 个模块,包括讲座幻灯片和实验练习(在选定的模块中),可用于典型的 10 到 12 周的本科课程(完整的教学大纲如下)。
  • 模块化、灵活使用:教学人员可以自由选择教授哪些模块——使用教育套件中的所有模块或是仅使用最适合达到教学成果的模块。
  • 级别:高级。要求学生对数字电子学和硬件描述语言 (Verilog) 的基础知识有一定的了解。

该教育套件是与 Arm 公司合作开发而成。实践部分所需的所有软件工具均可通过Cadence® 大学计划获取。

课程目标

让学生扎实掌握 VLSI 概念的入门知识,并使用标准工业工具将这些概念应用于简单微处理器的仿真、验证和物理实现。

学习成果

知识和理解

  • 由于较强的场效应、沟道长度调制、阈值电压效应和漏电而导致的非理想晶体管的特性
  • 如何估计 CMOS 电路的特性,包括噪声裕度、DC 响应和 RC 延迟模型
  • 如何估计片上连线的电阻和电容,描述优化导线延迟、功耗和片上导线串扰的方法
  • CMOS 锁存器和触发器的操作,并使用棒状图规划单元版图
  • 时序电路中的建立以及保持时间、传播和组合逻辑延迟等时序约束所带来的限制
  • 测试在芯片设计中的重要性,以及固定故障、自动测试向量生成 (ATPG) 和内建自测 (BIST) 的概念
  • 不同的 SRAM 结构
  • 电路中功耗的来源和控制功耗损耗的方法
  • 时钟分配网络对偏移和时钟功耗的影响
  • 片上偏差的来源和影响
  • 如何使用 SPICE 对电路进行仿真以确定其 DC 传输特性、瞬态响应和功耗

 

知识

  • 概述 nMOS 和 pMOS 晶体管的主要特征/特性,并绘制 CMOS 反向器的截面图
  • 使用曲线图和截面图来描述 MOS 器件在截止、线性和饱和区域工作时的电流和电压 (I-V) 特性
  • 描述技术扩展对器件中晶体管电能耗散的数量和成本的影响
  • 解释逻辑努力,并说明如何将其应用于实现组合电路路径延迟最小化
  • 解释并演示用于优化组合逻辑电路的技术,以获得最佳关键路径和逻辑门的最佳延迟/功耗权衡
  • 描述和解释不同的加法器结构的特点,包括行波进位加法器、进位旁路加法器、超前进位加法器、进位选择加法器、进位增量加法器和树形加法器
  • 设计和描述数据路径电路的操作,如比较器、移位器、多输入加法器和乘法器
  • 用电路图描述静电放电 (ESD) 保护电路的操作
  • 描述简单处理器在抽象层面的实现,包括架构、微架构、逻辑设计、电路设计、物理设计、验证和测试

 

实践

  • 从晶体管级原理图到版图,设计、实现、仿真和验证简单的逻辑门(logic gates)
  • 使用 NC-Verilog 来仿真和验证逻辑块的操作
  • 使用 Cadence Genus™ Synthesis Solution 从硬件描述语言综合逻辑门(logic gates),并使用 Cadence Innovus™ Implementation System 进行逻辑设计的放置和布线
  • 通过原理图、版图、添加焊盘框架来组装芯片,然后以 GDSII 格式流片

教学大纲

1 VLSI 简介
2 电路和版图
3 处理器示例
4 CMOS 晶体管理论
5 非理想晶体管理论
6 直流和瞬态响应
7 Logical Effort
8 扩展
9 仿真
10 组合逻辑电路设计
11 时序电路设计
12 加法器
13 连线
14 加法器
15 数据通路功能单元
16 SRAM
17 时钟
18 偏差和可靠性
19 测试
20 封装、I/O 和功耗分配